CDM22010-650 SL
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- 制造商编号：
- CDM22010-650 SL
- 制造商：
- CENTRAL(美国中央)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 10A 650V TO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：464
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥35.64582 | ￥35.65 |
| 50 | ￥19.129413 | ￥956.47 |
| 100 | ￥17.414437 | ￥1741.44 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CDM22010-650 SL
制造商
CENTRAL(美国中央)
商品描述
MOSFET N-CH 10A 650V TO220
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1Ohm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20nC @ 10V
Vgs（最大值）
30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1168pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta), 156W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
CDM22010-650 SL 同类别型号
注
CDM22010-650 SL品牌厂家：CENTRAL
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CDM22010-650 SL
数据手册PDF。
CDM22010-650 SL
型号：CDM22010-650 SL
品牌：CENTRAL
供货：锐单
库存：464 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥35.64582 |
| 50+： | ￥19.129413 |
| 100+： | ￥17.414437 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥35.65