SI7900AEDN-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI7900AEDN-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：4748
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.310972 | ￥20.31 |
| 10 | ￥16.647521 | ￥166.48 |
| 100 | ￥12.950426 | ￥1295.04 |
| 500 | ￥10.976897 | ￥5488.45 |
| 1000 | ￥8.941812 | ￥8941.81 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI7900AEDN-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
26mOhm @ 8.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
16nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
1.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8 Dual
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7900AEDN-T1-E3 同类别型号
注
SI7900AEDN-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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数据手册PDF。
SI7900AEDN-T1-E3
型号：SI7900AEDN-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：4748 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.310972 |
| 10+： | ￥16.647521 |
| 100+： | ￥12.950426 |
| 500+： | ￥10.976897 |
| 1000+： | ￥8.941812 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.31