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AUIRF7341QTR

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
AUIRF7341QTR
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
渠道:
国内现货
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库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon / IR

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 55 V

漏极电流 5.1 A

漏源电阻 65 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 29 nC

耗散功率 2.4 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 12.5 ns

正向跨导(Min) 10.4 S

上升时间 7.7 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 31 ns

典型接通延迟时间 9.2 ns

外形参数

高度 1.75 mm

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 AUIRF7341QTR SP001515768

单位重量 540 mg

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AUIRF7341QTR

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型号:AUIRF7341QTR

品牌:INFINEON

供货:锐单

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