货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥40.280627 | ¥40.28 |
10 | ¥36.141361 | ¥361.41 |
100 | ¥29.046533 | ¥2904.65 |
500 | ¥23.863922 | ¥11931.96 |
1000 | ¥22.727664 | ¥22727.66 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 50 A, 50 A
漏源电阻 2.4 mOhms, 3.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 5.6 nC, 20 nC
耗散功率 2.5 W, 6.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.4 ns, 2.6 ns
正向跨导(Min) 46 S, 90 S
上升时间 4.3 ns, 4.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 4.3 ns, 8.8 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns, 5.6 ns
高度 1.15 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSG0811ND SP001075902
单位重量 112.200 mg
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0BSG0811NDATMA1
型号:BSG0811NDATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥40.280627 |
10+: | ¥36.141361 |
100+: | ¥29.046533 |
500+: | ¥23.863922 |
1000+: | ¥22.727664 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥40.28