NTMFD4C87NT1G
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- 制造商编号：
- NTMFD4C87NT1G
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- POWER, N-CHANNEL, MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：10500
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥43.442513 | ￥43.44 |
| 25 | ￥39.099913 | ￥977.50 |
| 50 | ￥35.549878 | ￥1777.49 |
| 100 | ￥32.577757 | ￥3257.78 |
| 250 | ￥30.084477 | ￥7521.12 |
| 500 | ￥27.921432 | ￥13960.72 |
| 1000 | ￥26.072113 | ￥26072.11 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTMFD4C87NT1G
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
POWER, N-CHANNEL, MOSFET
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Last Time Buy
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11.7A, 14.9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
5.4mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
22.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1252pF @ 15V
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN (5x6)
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注
NTMFD4C87NT1G
型号：NTMFD4C87NT1G
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：10500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥43.442513 |
| 25+： | ￥39.099913 |
| 50+： | ￥35.549878 |
| 100+： | ￥32.577757 |
| 250+： | ￥30.084477 |
| 500+： | ￥27.921432 |
| 1000+： | ￥26.072113 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥43.44