货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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4000 | ¥7.251865 | ¥29007.46 |
8000 | ¥6.983304 | ¥55866.43 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.7 A, 3.5 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 16.7 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7.7 ns, 18 ns
正向跨导(Min) 2.5 S, 5.2 S
上升时间 17 ns, 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 6.8 ns, 11 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 AUIRF7309QTR SP001521596
单位重量 540 mg
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0AUIRF7309QTR
型号:AUIRF7309QTR
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
4000+: | ¥7.251865 |
8000+: | ¥6.983304 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00