货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥4.571615 | ¥13714.85 |
6000 | ¥4.343068 | ¥26058.41 |
15000 | ¥4.179762 | ¥62696.43 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 19.5 nC
耗散功率 29.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 19 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7454CDP-T1-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SI7454DDP-T1-GE3
型号:SI7454DDP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.571615 |
6000+: | ¥4.343068 |
15000+: | ¥4.179762 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00