SI7949DP-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI7949DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：4115
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.932798 | ￥24.93 |
| 10 | ￥24.288839 | ￥242.89 |
| 30 | ￥19.104137 | ￥573.12 |
| 100 | ￥18.75739 | ￥1875.74 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 64 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 3.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 30 ns
正向跨导（Min） 16 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7949DP-GE3
单位重量 506.600 mg
SI7949DP-T1-GE3 同类别型号
注
SI7949DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI7949DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SI7949DP-T1-GE3
型号：SI7949DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：4115 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥24.932798 |
| 10+： | ￥24.288839 |
| 30+： | ￥19.104137 |
| 100+： | ￥18.75739 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.93