
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.360423 | ¥21.36 |
| 10 | ¥19.087454 | ¥190.87 |
| 100 | ¥14.881095 | ¥1488.11 |
| 500 | ¥12.292649 | ¥6146.32 |
| 1000 | ¥9.704614 | ¥9704.61 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 19.5 nC
耗散功率 29.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 19 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7454CDP-T1-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SI7454DDP-T1-GE3
型号:SI7454DDP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.360423 |
| 10+: | ¥19.087454 |
| 100+: | ¥14.881095 |
| 500+: | ¥12.292649 |
| 1000+: | ¥9.704614 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.36