货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥21.74545 | ¥21.75 |
10 | ¥21.183812 | ¥211.84 |
30 | ¥16.661911 | ¥499.86 |
100 | ¥16.359491 | ¥1635.95 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 64 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 3.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7949DP-GE3
单位重量 506.600 mg
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0SI7949DP-T1-GE3
型号:SI7949DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥21.74545 |
10+: | ¥21.183812 |
30+: | ¥16.661911 |
100+: | ¥16.359491 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.75