NDS8852H
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NDS8852H
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.3A, 3.4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
80mOhm @ 3.4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
300pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SOIC
NDS8852H 同类别型号
注
NDS8852H
型号：NDS8852H
品牌：ON
供货：锐单
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