FDMS3626S
库存 ：6000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.809053 | ￥22.81 |
| 10 | ￥20.428978 | ￥204.29 |
| 25 | ￥19.278608 | ￥481.97 |
| 100 | ￥15.036975 | ￥1503.70 |
| 250 | ￥14.651062 | ￥3662.77 |
| 500 | ￥12.723485 | ￥6361.74 |
| 1000 | ￥10.795624 | ￥10795.62 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 Power Stage PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 800 mV, 1.1 V
栅极电荷 26 nC, 41 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 1.1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 90 mg
FDMS3626S 同类别型号
注
FDMS3626S品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDMS3626S
数据手册PDF。
FDMS3626S
型号：FDMS3626S
品牌：ON
供货：锐单
库存：6000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.809053 |
| 10+： | ￥20.428978 |
| 25+： | ￥19.278608 |
| 100+： | ￥15.036975 |
| 250+： | ￥14.651062 |
| 500+： | ￥12.723485 |
| 1000+： | ￥10.795624 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.81