货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.691078 | ¥18.69 |
10 | ¥15.289302 | ¥152.89 |
100 | ¥11.89251 | ¥1189.25 |
500 | ¥10.080722 | ¥5040.36 |
1000 | ¥8.211864 | ¥8211.86 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 9.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 27 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 86.200 mg
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0CSD19533Q5A
型号:CSD19533Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.691078 |
10+: | ¥15.289302 |
100+: | ¥11.89251 |
500+: | ¥10.080722 |
1000+: | ¥8.211864 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.69