货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥606.402205 | ¥606.40 |
20 | ¥540.292182 | ¥10805.84 |
100 | ¥474.235614 | ¥47423.56 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 550 A
漏源电阻 1.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.8 V
栅极电荷 595 nC
耗散功率 830 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 230 ns
正向跨导(Min) 90 S
上升时间 40 ns
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 45 ns
高度 5.7 mm
长度 25.25 mm
宽度 23.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET
单位重量 8 g
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0MMIX1T550N055T2
型号:MMIX1T550N055T2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥606.402205 |
20+: | ¥540.292182 |
100+: | ¥474.235614 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥606.40