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数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥7.095995 | ¥7095.99 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1.1 A
漏源电阻 700 mOhms, 1 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 2.9 nC, 3.5 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 2.1 ns, 3.3 ns
正向跨导(Min) 1.6 S, 1.2 S
上升时间 1.5 ns, 2.1 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 4.1 ns, 5.9 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns, 1.6 ns
高度 1.6 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 117 g
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0ZXMHC10A07T8TA
型号:ZXMHC10A07T8TA
品牌:DIODES
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