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SI7922DN-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7922DN-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
渠道:
digikey

库存 :45000

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 20.866991 20.87
10 15.365825 153.66
30 14.357758 430.73
100 13.34969 1334.97
500 12.90326 6451.63

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 2.5 A

漏源电阻 195 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 8 nC

耗散功率 2.6 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7922DN-GE3

单位重量 1 g

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SI7922DN-T1-GE3

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型号:SI7922DN-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:45000 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥20.866991
10+: ¥15.365825
30+: ¥14.357758
100+: ¥13.34969
500+: ¥12.90326

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