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SIS443DN-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIS443DN-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
渠道:
digikey

库存 :114633

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 19.063722 19.06
10 17.08541 170.85
100 13.319426 1331.94
500 11.003004 5501.50
1000 8.686583 8686.58

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET, PowerPAK

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 35 A

漏源电阻 11.7 mOhms

栅极电压 - 10 V, + 10 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 90 nC

耗散功率 52 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 10 ns, 12 ns

正向跨导(Min) 50 S

上升时间 10 ns, 40 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 48 ns,50 NS

典型接通延迟时间 12 ns, 45 NS

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 1 g

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SIS443DN-T1-GE3

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型号:SIS443DN-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:114633 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥19.063722
10+: ¥17.08541
100+: ¥13.319426
500+: ¥11.003004
1000+: ¥8.686583

货期:7-10天

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