PMDPB28UN,115
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PMDPB28UN,115
制造商
NXP(恩智浦)
商品描述
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
37mOhm @ 4.6A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
4.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
265pF @ 10V
功率 - 最大值
510mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装
DFN2020-6
PMDPB28UN,115 同类别型号
注
PMDPB28UN,115品牌厂家：NXP
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购PMDPB28UN,115、查询PMDPB28UN,115代理商；
PMDPB28UN,115价格批发咨询客服；这里拥有
PMDPB28UN,115中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到PMDPB28UN,115
替代型号
、PMDPB28UN,115
数据手册PDF
。
PMDPB28UN,115
型号：PMDPB28UN,115
品牌：NXP
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00