CSD87588NT
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥6.229574 | ￥1557.39 |
| 500 | ￥5.505209 | ￥2752.60 |
| 1250 | ￥4.346183 | ￥5432.73 |
| 2500 | ￥4.100172 | ￥10250.43 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 10.4 mOhms, 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 3.2 nC, 13.7 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 6.3 ns
正向跨导（Min） 43 S, 93 S
上升时间 31.6 ns, 36.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.2 ns, 20.1 ns
典型接通延迟时间 7.3 ns, 12.1 ns
外形参数
高度 0.48 mm
长度 5 mm
宽度 2.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Synchronous Buck NexFET Power Stage
单位重量 54.600 mg
CSD87588NT 同类别型号
注
CSD87588NT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF
。
CSD87588NT
型号：CSD87588NT
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥6.229574 |
| 500+： | ￥5.505209 |
| 1250+： | ￥4.346183 |
| 2500+： | ￥4.100172 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00