CSD87588NT

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 25 A

漏源电阻 10.4 mOhms, 3.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.9 V

栅极电荷 3.2 nC, 13.7 nC

耗散功率 6 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 5 ns, 6.3 ns

正向跨导（Min） 43 S, 93 S

上升时间 31.6 ns, 36.7 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 10.2 ns, 20.1 ns

典型接通延迟时间 7.3 ns, 12.1 ns

高度 0.48 mm

长度 5 mm

宽度 2.5 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 Synchronous Buck NexFET Power Stage

单位重量 54.600 mg