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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
栅极电压 - 30 V, + 30 V
配置 Single
下降时间 12 ns
漏极电流 38 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 735 W
漏源电阻 220 mOhms
上升时间 16 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 20 ns
漏源击穿电压 800 V
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
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0IXFN38N80Q2
型号:IXFN38N80Q2
品牌:IXYS
供货:锐单
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