IXFN20N120P
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- 制造商编号：
- IXFN20N120P
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
- 渠道：
- mouserdigikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：300
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 300 | ￥639.428353 | ￥191828.51 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
技术类参数
栅极电压 - 30 V, + 30 V
配置 Single
下降时间 70 ns
漏极电流 20 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 595 W
漏源电阻 570 mOhms
上升时间 45 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 49 ns
漏源击穿电压 1.2 kV
栅源极阈值电压 6.5 V
外形参数
高度 12.22 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 Polar Power MOSFET HiPerFET
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
IXFN20N120P 同类别型号
注
IXFN20N120P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXFN20N120P
数据手册PDF。
IXFN20N120P
型号：IXFN20N120P
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 300+： | ￥639.428353 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00