HGTG11N120CND
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥27.325898 | ￥27.33 |
| 10 | ￥24.545368 | ￥245.45 |
| 100 | ￥20.108505 | ￥2010.85 |
| 500 | ￥17.118236 | ￥8559.12 |
| 1000 | ￥14.437003 | ￥14437.00 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.1 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 43 A
耗散功率 298 W
集电极连续电流 55 A
集电极连续电流（Max） 43 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA
外形参数
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 HGTG11N120CND_NL
单位重量 6.390 g
HGTG11N120CND 同类别型号
注
HGTG11N120CND
型号：HGTG11N120CND
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥27.325898 |
| 10+： | ￥24.545368 |
| 100+： | ￥20.108505 |
| 500+： | ￥17.118236 |
| 1000+： | ￥14.437003 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥27.33