CSD87351Q5D
库存 ：9877
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.854907 | ￥25.85 |
| 10 | ￥23.212966 | ￥232.13 |
| 25 | ￥21.903284 | ￥547.58 |
| 100 | ￥18.659566 | ￥1865.96 |
| 250 | ￥17.520822 | ￥4380.21 |
| 500 | ￥15.330719 | ￥7665.36 |
| 1000 | ￥13.223261 | ￥13223.26 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 7.4 mOhms, 1.6 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 2.1 V, 1.15 V
栅极电荷 5.9 nC, 17 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.1 ns
上升时间 16 ns
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Synchronous Buck MOSFET Driver
单位重量 161.300 mg
CSD87351Q5D 同类别型号
注
CSD87351Q5D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD87351Q5D
数据手册PDF
。
CSD87351Q5D
型号：CSD87351Q5D
品牌：TI
供货：锐单
库存：9877 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥25.854907 |
| 10+： | ￥23.212966 |
| 25+： | ￥21.903284 |
| 100+： | ￥18.659566 |
| 250+： | ￥17.520822 |
| 500+： | ￥15.330719 |
| 1000+： | ￥13.223261 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.85