CSD87351Q5D
库存 ：9877
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥29.644603 | ￥29.64 |
| 10 | ￥26.615416 | ￥266.15 |
| 25 | ￥25.113768 | ￥627.84 |
| 100 | ￥21.3946 | ￥2139.46 |
| 250 | ￥20.088943 | ￥5022.24 |
| 500 | ￥17.577826 | ￥8788.91 |
| 1000 | ￥15.161467 | ￥15161.47 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 7.4 mOhms, 1.6 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 2.1 V, 1.15 V
栅极电荷 5.9 nC, 17 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.1 ns
上升时间 16 ns
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Synchronous Buck MOSFET Driver
单位重量 161.300 mg
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注
CSD87351Q5D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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、CSD87351Q5D
数据手册PDF
。
CSD87351Q5D
型号：CSD87351Q5D
品牌：TI
供货：锐单
库存：9877 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥29.644603 |
| 10+： | ￥26.615416 |
| 25+： | ￥25.113768 |
| 100+： | ￥21.3946 |
| 250+： | ￥20.088943 |
| 500+： | ￥17.577826 |
| 1000+： | ￥15.161467 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥29.64