IXFN320N17T2
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IXFN320N17T2
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
- 渠道：
- 国内现货mouserdigikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：300
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 300 | ￥237.499343 | ￥71249.80 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
技术类参数
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 230 ns
漏极电流 260 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 1.07 kW
漏源电阻 5.2 mOhms
上升时间 170 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 115 ns
典型接通延迟时间 46 ns
漏源击穿电压 170 V
栅源极阈值电压 5 V
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 GigaMOS Trench T2 HiperFet
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
单位重量 30 g
IXFN320N17T2 同类别型号
注
IXFN320N17T2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXFN320N17T2
数据手册PDF。
IXFN320N17T2
型号：IXFN320N17T2
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 300+： | ￥237.499343 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00