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CSD88539NDT

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD88539NDT
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
渠道:
digikey

库存 :12267

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 12.029185 12.03
10 10.766122 107.66
100 8.395169 839.52

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 11.7 A

漏源电阻 28 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.6 V

栅极电荷 7.2 nC

耗散功率 2.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 4 ns

上升时间 9 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 14 ns

典型接通延迟时间 5 ns

外形参数

高度 1.75 mm

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 74 mg

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CSD88539NDT

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型号:CSD88539NDT

品牌:TI

供货:锐单

库存:12267 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥12.029185
10+: ¥10.766122
100+: ¥8.395169

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