
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.459282 | ¥19.46 |
| 10 | ¥16.348163 | ¥163.48 |
| 100 | ¥13.225214 | ¥1322.52 |
| 500 | ¥11.755535 | ¥5877.77 |
| 1000 | ¥10.065654 | ¥10065.65 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 1.5 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
耗散功率 231 W
集电极连续电流(Max) 50 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 IHW25N120E1 SP001391910
单位重量 6 g
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0IHW25N120E1XKSA1
型号:IHW25N120E1XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.459282 |
| 10+: | ¥16.348163 |
| 100+: | ¥13.225214 |
| 500+: | ¥11.755535 |
| 1000+: | ¥10.065654 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.46