BSC900N20NS3GATMA1
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- 制造商编号：
- BSC900N20NS3GATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：9985
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥34.701359 | ￥34.70 |
| 10 | ￥22.275546 | ￥222.76 |
| 100 | ￥15.154948 | ￥1515.49 |
| 500 | ￥12.108806 | ￥6054.40 |
| 1000 | ￥11.743002 | ￥11743.00 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC900N20NS3GATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
90mOhm @ 7.6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 30µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
11.6nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
920pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
62.5W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
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注
BSC900N20NS3GATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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。
BSC900N20NS3GATMA1
型号：BSC900N20NS3GATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：9985 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥34.701359 |
| 10+： | ￥22.275546 |
| 100+： | ￥15.154948 |
| 500+： | ￥12.108806 |
| 1000+： | ￥11.743002 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥34.70