ALD1115PAL
库存 ：84
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥52.985005 | ￥52.99 |
| 10 | ￥47.544833 | ￥475.45 |
| 25 | ￥44.943751 | ￥1123.59 |
| 100 | ￥35.956134 | ￥3595.61 |
| 250 | ￥33.958572 | ￥8489.64 |
| 500 | ￥31.961008 | ￥15980.50 |
| 1000 | ￥27.366613 | ￥27366.61 |
| 2500 | ￥26.967101 | ￥67417.75 |
| 5000 | ￥24.570025 | ￥122850.13 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10 V
漏极电流 4.8 mA, 2 mA
漏源电阻 350 Ohms, 1.2 kOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 1 g
ALD1115PAL 同类别型号
注
ALD1115PAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ALD1115PAL
数据手册PDF。
ALD1115PAL
型号：ALD1115PAL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：84 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥52.985005 |
| 10+： | ￥47.544833 |
| 25+： | ￥44.943751 |
| 100+： | ￥35.956134 |
| 250+： | ￥33.958572 |
| 500+： | ￥31.961008 |
| 1000+： | ￥27.366613 |
| 2500+： | ￥26.967101 |
| 5000+： | ￥24.570025 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥52.99