货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥20.783036 | ¥20.78 |
10 | ¥18.716747 | ¥187.17 |
100 | ¥15.045476 | ¥1504.55 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.5 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 36.8 nC
耗散功率 2.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 20.2 ns
上升时间 6.1 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 38.1 ns
典型接通延迟时间 5.2 ns
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0ZXMN3A04DN8TA
型号:ZXMN3A04DN8TA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.783036 |
10+: | ¥18.716747 |
100+: | ¥15.045476 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.78