BSM250D17P2E004

制造商 ROHM Semiconductor

产品 Power MOSFET Modules

商标 ROHM Semiconductor

栅极电压 - 6 V, 22 V

配置 Half-Bridge

下降时间 70 ns

漏极电流 250 A

耗散功率 1800 W

上升时间 55 ns

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

典型延迟时间 55 ns

典型关闭延迟时间 195 ns

典型接通延迟时间 55 ns

漏源击穿电压 1700 V

栅源极阈值电压 1.6 V

产品种类 分立半导体模块

类型 Half Bridge Module

安装风格 Screw Mount

产品类型 Discrete Semiconductor Modules

单位重量 578.089 g