FDMQ8203
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥4.129686 | ￥12389.06 |
| 6000 | ￥3.974439 | ￥23846.63 |
| 9000 | ￥3.842837 | ￥34585.53 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 100 V, 80 V
漏极电流 3.4 A, 2.6 A
漏源电阻 110 mOhms, 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V, 1.6 V
栅极电荷 5 nC, 19 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Quad
下降时间 1.9 ns, 2.7 ns
正向跨导（Min） 6 S
上升时间 1.3 ns, 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
外形参数
高度 0.8 mm
长度 5 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 210 mg
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注
FDMQ8203品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDMQ8203
数据手册PDF。
FDMQ8203
型号：FDMQ8203
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥4.129686 |
| 6000+： | ￥3.974439 |
| 9000+： | ￥3.842837 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00