BSZ018NE2LSIATMA1
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- BSZ018NE2LSIATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：21100
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥30.953426 | ￥30.95 |
| 10 | ￥25.691344 | ￥256.91 |
| 100 | ￥20.452478 | ￥2045.25 |
| 500 | ￥17.306371 | ￥8653.19 |
| 1000 | ￥14.684152 | ￥14684.15 |
| 2000 | ￥13.950091 | ￥27900.18 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSZ018NE2LSIATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
22A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.8mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
36nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2500pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W (Ta), 69W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSZ018NE2LSIATMA1 相关产品
BSZ018NE2LSIATMA1 同类别型号
注
BSZ018NE2LSIATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购BSZ018NE2LSIATMA1、查询BSZ018NE2LSIATMA1代理商；
BSZ018NE2LSIATMA1价格批发咨询客服；这里拥有
BSZ018NE2LSIATMA1中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到BSZ018NE2LSIATMA1
替代型号
、BSZ018NE2LSIATMA1
数据手册PDF
。
BSZ018NE2LSIATMA1
型号：BSZ018NE2LSIATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：21100 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥30.953426 |
| 10+： | ￥25.691344 |
| 100+： | ￥20.452478 |
| 500+： | ￥17.306371 |
| 1000+： | ￥14.684152 |
| 2000+： | ￥13.950091 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥30.95