FDMC8200S_F106
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDMC8200S_F106
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
包装
Cut Tape (CT)
系列
PowerTrench®
零件状态
Discontinued at Digi-Key
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A, 8.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
20mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
660pF @ 15V
功率 - 最大值
700mW, 1W
工作温度
-
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-Power33 (3x3)
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注
FDMC8200S_F106品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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FDMC8200S_F106
型号：FDMC8200S_F106
品牌：ON
供货：锐单
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