CSD87384MT
库存 ：863
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥27.183245 | ￥27.18 |
| 10 | ￥24.40314 | ￥244.03 |
| 25 | ￥23.016796 | ￥575.42 |
| 100 | ￥19.611475 | ￥1961.15 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 6.4 mOhms, 1.95 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.9 V, 1.7 V
栅极电荷 9.2 nC, 40 nC
耗散功率 8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7.6 ns, 8.2 ns
正向跨导（Min） 67 S, 240 S
上升时间 56 ns, 49 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns, 29 ns
典型接通延迟时间 8.7 ns, 17.5 ns
外形参数
高度 0.45 mm
长度 5 mm
宽度 3.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Synchronous Buck NexFET Power Stage
单位重量 71.600 mg
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注
CSD87384MT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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。
CSD87384MT
型号：CSD87384MT
品牌：TI
供货：锐单
库存：863 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥27.183245 |
| 10+： | ￥24.40314 |
| 25+： | ￥23.016796 |
| 100+： | ￥19.611475 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥27.18