SI7956DP-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI7956DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：5969
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥38.005192 | ￥38.01 |
| 10 | ￥31.924362 | ￥319.24 |
| 100 | ￥25.82484 | ￥2582.48 |
| 500 | ￥22.955635 | ￥11477.82 |
| 1000 | ￥19.655789 | ￥19655.79 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 3.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns
正向跨导（Min） 10 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7956DP-GE3
单位重量 506.600 mg
SI7956DP-T1-GE3 同类别型号
注
SI7956DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI7956DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SI7956DP-T1-GE3
型号：SI7956DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：5969 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥38.005192 |
| 10+： | ￥31.924362 |
| 100+： | ￥25.82484 |
| 500+： | ￥22.955635 |
| 1000+： | ￥19.655789 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥38.01