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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 6 A
耗散功率 39 W
集电极连续电流(Max) 12 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SP001546144
单位重量 350 mg
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0IRGR4045DPBF
型号:IRGR4045DPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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