ALD212900PAL
库存 ：47
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥90.811175 | ￥90.81 |
| 10 | ￥81.602553 | ￥816.03 |
| 100 | ￥66.854591 | ￥6685.46 |
| 500 | ￥56.912112 | ￥28456.06 |
| 1000 | ￥47.998169 | ￥47998.17 |
| 2000 | ￥46.751464 | ￥93502.93 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10 V
漏极电流 79 mA
漏源电阻 14 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 20 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Depletion
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
ALD212900PAL 同类别型号
注
ALD212900PAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ALD212900PAL
数据手册PDF。
ALD212900PAL
型号：ALD212900PAL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：47 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥90.811175 |
| 10+： | ￥81.602553 |
| 100+： | ￥66.854591 |
| 500+： | ￥56.912112 |
| 1000+： | ￥47.998169 |
| 2000+： | ￥46.751464 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥90.81