IPW65R190C6FKSA1
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- 制造商编号：
- IPW65R190C6FKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
- 渠道：
- digikey
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPW65R190C6FKSA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
包装
Tube
系列
CoolMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
190mOhm @ 7.3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 730µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
73nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1620pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
151W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO247-3
封装/外壳
TO-247-3
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注
IPW65R190C6FKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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。
IPW65R190C6FKSA1
型号：IPW65R190C6FKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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