IXGH28N60B3D1
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- 制造商编号：
- IXGH28N60B3D1
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-IGBT
- 商品描述：
- IGBT 600V 66A 190W TO247AD
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：20
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 20 | ￥5 | ￥100.00 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.5 V
在25 C的连续集电极电流 66 A
耗散功率 190 W
集电极连续电流（Max） 150 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
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注
IXGH28N60B3D1品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、IXGH28N60B3D1
数据手册PDF。
IXGH28N60B3D1
型号：IXGH28N60B3D1
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 20+： | ￥5 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00