ALD110900APAL
库存 ：53
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥74.383262 | ￥74.38 |
| 10 | ￥66.759596 | ￥667.60 |
| 25 | ￥63.109626 | ￥1577.74 |
| 100 | ￥50.486713 | ￥5048.67 |
| 250 | ￥47.681896 | ￥11920.47 |
| 500 | ￥44.877078 | ￥22438.54 |
| 1000 | ￥38.425998 | ￥38426.00 |
| 2500 | ￥37.865034 | ￥94662.59 |
| 5000 | ￥34.499254 | ￥172496.27 |
规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10 V
漏极电流 12 mA
漏源电阻 500 Ohms, 500 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 0 V
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Depletion
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 1 g
其它
发货限制：
ALD110900APAL 同类别型号
注
ALD110900APAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、ALD110900APAL
数据手册PDF。
ALD110900APAL
型号：ALD110900APAL
品牌：ALD
供货：锐单
库存：53 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥74.383262 |
| 10+： | ￥66.759596 |
| 25+： | ￥63.109626 |
| 100+： | ￥50.486713 |
| 250+： | ￥47.681896 |
| 500+： | ￥44.877078 |
| 1000+： | ￥38.425998 |
| 2500+： | ￥37.865034 |
| 5000+： | ￥34.499254 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥74.38