
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.430833 | ¥22.43 |
| 10 | ¥18.316133 | ¥183.16 |
| 100 | ¥14.242864 | ¥1424.29 |
| 500 | ¥12.072075 | ¥6036.04 |
| 1000 | ¥9.834135 | ¥9834.14 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 3.1 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 183 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7615DN-GE3
单位重量 1 g
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0SI7615DN-T1-GE3
型号:SI7615DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.430833 |
| 10+: | ¥18.316133 |
| 100+: | ¥14.242864 |
| 500+: | ¥12.072075 |
| 1000+: | ¥9.834135 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.43