
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥54.118701 | ¥54.12 |
| 10 | ¥48.884364 | ¥488.84 |
| 100 | ¥40.471626 | ¥4047.16 |
| 500 | ¥35.242214 | ¥17621.11 |
| 1000 | ¥32.174857 | ¥32174.86 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 XPT, GenX3
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 1.66 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 270 W
集电极连续电流 60 A
集电极连续电流(Max) 115 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
工作温度范围 - 55 C to + 175 C
高度 21.45 mm
长度 16.24 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 4.500 g
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0IXXH30N60B3D1
型号:IXXH30N60B3D1
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥54.118701 |
| 10+: | ¥48.884364 |
| 100+: | ¥40.471626 |
| 500+: | ¥35.242214 |
| 1000+: | ¥32.174857 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥54.12