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制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 750 mOhms, 750 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 340 pC
耗散功率 285 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.5 ns, 5.5 ns
正向跨导(Min) 0.5 S, 0.5 S
上升时间 2 ns, 2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.5 ns, 6.5 ns
典型接通延迟时间 2 ns, 2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0SSM6N35AFU,LF
型号:SSM6N35AFU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
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