FGH30S130P
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥47.81628 | ￥47.82 |
| 10 | ￥43.185363 | ￥431.85 |
| 100 | ￥35.754657 | ￥3575.47 |
| 500 | ￥31.134428 | ￥15567.21 |
| 1000 | ￥27.117106 | ￥27117.11 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1300 V
饱和电压 1.9 V
栅极/发射极最大电压 25 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 500 W
集电极连续电流（Max） 60 A
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.390 g
FGH30S130P 同类别型号
注
FGH30S130P品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
、FGH30S130P
数据手册PDF。
FGH30S130P
型号：FGH30S130P
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥47.81628 |
| 10+： | ￥43.185363 |
| 100+： | ￥35.754657 |
| 500+： | ￥31.134428 |
| 1000+： | ￥27.117106 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥47.82