BSM180D12P2C101

制造商 ROHM Semiconductor

产品 Power Semiconductor Modules

商标 ROHM Semiconductor

栅极电压 - 6 V, 22 V

配置 Half-Bridge

下降时间 90 ns

漏极电流 204 A

通道数量 1 Channel

耗散功率 175 W

上升时间 90 ns

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

典型延迟时间 80 ns

典型关闭延迟时间 300 ns

典型接通延迟时间 80 ns

漏源击穿电压 1200 V

栅源极阈值电压 1.6 V

高度 21.1 mm

长度 122 mm

宽度 45.6 mm

产品种类 分立半导体模块

类型 SiC Power MOSFET

安装风格 Screw Mount

产品类型 Discrete Semiconductor Modules

单位重量 50 g