VQ1006P-E3
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- 制造商编号：
- VQ1006P-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
VQ1006P-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
包装
Tube
系列
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零件状态
Obsolete
FET 类型
4 N-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
90V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
400mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.5Ohm @ 1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
60pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
-
供应商器件封装
14-DIP
VQ1006P-E3 同类别型号
注
VQ1006P-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、VQ1006P-E3
数据手册PDF。
VQ1006P-E3
型号：VQ1006P-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
+ -
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