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起订量:450
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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450 | ¥47.878885 | ¥21545.50 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 357 W
集电极连续电流(Max) 80 A
栅极—射极漏泄电流 250 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 5.600 g
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0DGTD120T40S1PT
型号:DGTD120T40S1PT
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
450+: | ¥47.878885 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00