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DGTD120T40S1PT

DIODES(美台)
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请参阅产品规格
制造商编号:
DGTD120T40S1PT
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-IGBT
商品描述:
IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
渠道:
国内现货
自营
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:450

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
450 47.878885 21545.50

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V

饱和电压 2 V

栅极/发射极最大电压 20 V

在25 C的连续集电极电流 80 A

耗散功率 357 W

集电极连续电流(Max) 80 A

栅极—射极漏泄电流 250 nA

物理类型

产品种类 IGBT 晶体管

安装风格 Through Hole

产品类型 IGBT Transistors

单位重量 5.600 g

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DGTD120T40S1PT

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型号:DGTD120T40S1PT

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

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450+: ¥47.878885

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