货期:(7~10天)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥14.455117 | ¥3613.78 |
500 | ¥12.648228 | ¥6324.11 |
1250 | ¥10.479937 | ¥13099.92 |
2500 | ¥10.227677 | ¥25569.19 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 17.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 42.8 nC
耗散功率 15.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 8 ns
正向跨导(Min) 24 S, 24 S
上升时间 40 ns, 40 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 29.200 mg
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0CSD87503Q3ET
型号:CSD87503Q3ET
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥14.455117 |
500+: | ¥12.648228 |
1250+: | ¥10.479937 |
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