CSD87503Q3ET
库存 ：8000
货期：（7~10天）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥16.573884 | ￥4143.47 |
| 500 | ￥14.502148 | ￥7251.07 |
| 1250 | ￥12.016039 | ￥15020.05 |
| 2500 | ￥11.726803 | ￥29317.01 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 17.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 42.8 nC
耗散功率 15.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 8 ns
正向跨导（Min） 24 S, 24 S
上升时间 40 ns, 40 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 29.200 mg
CSD87503Q3ET 同类别型号
注
CSD87503Q3ET品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD87503Q3ET
数据手册PDF
。
CSD87503Q3ET
型号：CSD87503Q3ET
品牌：TI
供货：锐单
库存：8000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥16.573884 |
| 500+： | ￥14.502148 |
| 1250+： | ￥12.016039 |
| 2500+： | ￥11.726803 |
货期：7-10天
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