货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.991791 | ¥5975.37 |
6000 | ¥1.799038 | ¥10794.23 |
15000 | ¥1.670534 | ¥25058.01 |
30000 | ¥1.631983 | ¥48959.49 |
75000 | ¥1.580584 | ¥118543.80 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 9.5 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 14 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 100 mg
购物车
0SIA918EDJ-T1-GE3
型号:SIA918EDJ-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.991791 |
6000+: | ¥1.799038 |
15000+: | ¥1.670534 |
30000+: | ¥1.631983 |
75000+: | ¥1.580584 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00