SIA918EDJ-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIA918EDJ-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.283739 | ￥6851.22 |
| 6000 | ￥2.062732 | ￥12376.39 |
| 15000 | ￥1.915394 | ￥28730.91 |
| 30000 | ￥1.871191 | ￥56135.73 |
| 75000 | ￥1.812257 | ￥135919.27 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 58 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 9.5 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 41 ns
正向跨导（Min） 14 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 100 mg
SIA918EDJ-T1-GE3 同类别型号
注
SIA918EDJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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SIA918EDJ-T1-GE3
型号：SIA918EDJ-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.283739 |
| 6000+： | ￥2.062732 |
| 15000+： | ￥1.915394 |
| 30000+： | ￥1.871191 |
| 75000+： | ￥1.812257 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00